英特尔大连厂采用65纳米工艺获美国政府放行
英特尔大连芯片厂总经理科比•杰斐逊近日接受媒体采访时透露，大连厂采用65纳米生产工艺的请求已经获得美国政府批准，但最终采用90纳米还是65纳米还未确定。
目前英特尔投向市场的最先进的量产工艺是45纳米。
2007年3月，英特尔宣布投资25亿美元在大连建设它位于亚洲的第一座晶圆制造厂。去年9月奠基时，英特尔曾宣布大连厂将于2010年开始生产90纳米产品。
科比•杰斐逊表示，获得美国政府批准后，英特尔正考虑大连厂是否要采用65纳米这一更先进的工艺，但最终的情况要根据市场需求而定。
